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厂商型号

SPA04N80C3XKSA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

内部编号

173-SPA04N80C3XKSA1

#1

数量:482
1+¥10.1882
10+¥8.6839
100+¥6.7009
500+¥5.9214
1000+¥4.677
2500+¥4.13
5000+¥4.0548
10000+¥3.9795
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:895
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SPA04N80C3XKSA1产品详细规格

最大门源电压 ±20
安装 Through Hole
包装宽度 4.7
PCB 3
最大功率耗散 38000
最大漏源电压 800
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 1300@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220FP
标准包装名称 TO-220F
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.5
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 15.99
最大连续漏极电流 4
标签 Tab
铅形状 Through Hole
连续漏极电流 4 A
栅源电压(最大值) �20 V
功率耗散 38 W
漏源导通电阻 1.3 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220FP
封装 Tube
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 800 V
弧度硬化 No
工厂包装数量 500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 800 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage +/- 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.1 V
宽度 4.85 mm
Qg - Gate Charge 31 nC
封装/外壳 TO-220FP-3
下降时间 12 ns
安装风格 Through Hole
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
商品名 CoolMOS
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 4 A
长度 10.65 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.1 Ohms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 72 ns
系列 CoolMOS C3
身高 16.15 mm
典型导通延迟时间 25 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 38 W
上升时间 15 ns
技术 Si

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